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Immagine RCX120N20.

LAPIS Semiconductor

RCX120N20

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Specifiche

Modello di prodotti

RCX120N20
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RCX120N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5.25V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FM
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

325 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.23W (Ta), 40W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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