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3578389Immagine RF4C050APTR.LAPIS Semiconductor

RF4C050APTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RF4C050APTR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RF4C050APTR.pdf
    2.RF4C050APTR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    HUML2020L8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    26 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerUDFN
  • Altri nomi
    RF4C050APCT
    RF4C050APTRCT
    RF4C050APTRCT-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5500pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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