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1687600Immagine RF6C055BCTCR.LAPIS Semiconductor

RF6C055BCTCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RF6C055BCTCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RF6C055BCTCR.pdf
    2.RF6C055BCTCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    RF6C055BCTCRCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1080pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

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