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6444774Immagine RFN3BM2SFHTL.LAPIS Semiconductor

RFN3BM2SFHTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RFN3BM2SFHTL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RFN3BM2SFHTL.pdf
    2.RFN3BM2SFHTL.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    980mV @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    25ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    RFN3BM2SFHTLCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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