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6141027Immagine RFUH20NS6STL.LAPIS Semiconductor

RFUH20NS6STL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RFUH20NS6STL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RFUH20NS6STL.pdf
    2.RFUH20NS6STL.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.8V @ 20A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LPDS
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    RFUH20NS6STLCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 20A Surface Mount LPDS
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    20A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    RFUH20NS6S

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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