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3878424Immagine RGTH60TS65DGC11.LAPIS Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RGTH60TS65DGC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 650V 58A 194W TO-247N
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RGTH60TS65DGC11.pdf
    2.RGTH60TS65DGC11.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    27ns/105ns
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    58ns
  • Potenza - Max
    194W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    58nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 58A 194W Through Hole TO-247N
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    120A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    58A

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Pagamento
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Descrizione: IGBT 650V 58A 197W TO-247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: IGBT 650V 50A 174W TO-247N

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Produttori: Walsin Technology
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Descrizione: IGBT 650V 50A 174W TO-247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: SHT MTL SCREW HEX SLOTTED #12-24

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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