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5370500Immagine RGW60TK65GVC11.LAPIS Semiconductor

RGW60TK65GVC11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RGW60TK65GVC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RGW60TK65GVC11.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    37ns/114ns
  • di scambio energetico
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PFM
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    72W
  • Contenitore / involucro
    TO-3PFM, SC-93-3
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    84nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 33A 72W Through Hole TO-3PFM
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    120A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    33A

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