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2908599Immagine RP1E075RPTR.LAPIS Semiconductor

RP1E075RPTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RP1E075RPTR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RP1E075RPTR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    RP1E075RPDKR
    RP1E075RPTRDKR
    RP1E075RPTRDKR-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1900pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)

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