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RQ3E120BNTB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ3E120BNTB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ3E120BNTB.pdf
    2.RQ3E120BNTB.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    RQ3E120BNTBCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

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