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1721200Immagine RQ7E055ATTCR.LAPIS Semiconductor

RQ7E055ATTCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ7E055ATTCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ7E055ATTCR.pdf
    2.RQ7E055ATTCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24.5 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.5W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    RQ7E055ATTCRDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    860pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Tc)

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RQ73C2B909RBTD

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