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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RRS070N03TB1
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RRS070N03TB1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RRS070N03TB1
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    28 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    RRS070N03TB1CT
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.6nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 7A (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

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Spedizione
Pagamento
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