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Immagine RS1E200BNTB.

LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

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Specifiche

Modello di prodotti

RS1E200BNTB
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RS1E200BNTB.pdf
2.RS1E200BNTB.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-HSOP
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

RS1E200BNTBTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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