RSD221N06TL

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Specifiche

Modello di prodotti

RSD221N06TL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RSD221N06TL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

CPT3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

850mW (Ta), 20W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 22A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione:

Produttori: LAPIS Semiconductor

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