RSE002N06TL

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Specifiche

Modello di prodotti

RSE002N06TL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RSE002N06TL.pdf
2.RSE002N06TL.pdf
3.RSE002N06TL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

EMT3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-75, SOT-416
Altri nomi

RSE002N06TL-ND
RSE002N06TLTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "RSE002N06TL".

RSE002P03TL

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416

Produttori: LAPIS Semiconductor

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