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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RTL035N03TR
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3058660Immagine RTL035N03TR.LAPIS Semiconductor

RTL035N03TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RTL035N03TR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RTL035N03TR.pdf
    2.RTL035N03TR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    56 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    RTL035N03DKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

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Produttori: B+B SmartWorx, Inc.
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Descrizione: LTE CELL ROUTER 2ETN 2SIM WIFI

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