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5503516Immagine RUM001L02T2CL.LAPIS Semiconductor

RUM001L02T2CL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RUM001L02T2CL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RUM001L02T2CL.pdf
    2.RUM001L02T2CL.pdf
    3.RUM001L02T2CL.pdf
    4.RUM001L02T2CL.pdf
    5.RUM001L02T2CL.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Altri nomi
    RUM001L02T2CLDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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Descrizione: MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

Produttori: LAPIS Semiconductor
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