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BQ4010YMA-200

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BQ4010YMA-200
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    200ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-DIP Module (18.42x37.72)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-DIP Module (18.42x37.72)
  • Numero di parte base
    BQ4010
  • Tempo di accesso
    200ns

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