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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD13306WT
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CSD13306WT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CSD13306WT
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-DSBGA (1x1.5)
  • Serie
    NexFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.9W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UFBGA, DSBGA
  • Altri nomi
    296-41134-2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1370pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

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