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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD16408Q5
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CSD16408Q5

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CSD16408Q5
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +16V, -12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-VSONP (5x6)
  • Serie
    NexFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    296-25321-2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 12.5V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    8.9nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 25V 22A (Ta), 113A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta), 113A (Tc)

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Pagamento
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