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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19506KTT
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CSD19506KTT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CSD19506KTT
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DDPAK/TO-263-3
  • Serie
    NexFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Altri nomi
    296-49604-2
    CSD19506KTT-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    12200pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    156nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200A (Ta)

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