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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > LN60A01ES-LF-Z
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LN60A01ES-LF-Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    LN60A01ES-LF-Z
  • Costruttore / Marca
    Monolithic Power Systems
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    190 Ohm @ 10mA, 10V
  • Potenza - Max
    1.3W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -20°C ~ 125°C (TJ)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    3 N-Channel, Common Gate
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80mA

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563

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