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1360302Immagine DS1230Y-200IND.Maxim Integrated

DS1230Y-200IND

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS1230Y-200IND
  • Costruttore / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    DS1230Y-200IND.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    200ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
  • Numero di parte base
    DS1230Y
  • Tempo di accesso
    200ns

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DS1230Y-150+

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DS1230YP-100

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DS1230Y-85

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DS1230Y-70+

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DS1230Y-200

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DS1230Y-120

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DS1230Y-100+

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DS1230Y-200IND+

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