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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-D.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    134-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    533MHz

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EDB1332BDPA-1D-F-D

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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EDB2432B4MA-1DIT-F-D

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
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EDB1332BDPC-1D-F-R TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
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EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

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Produttori: Micron Technology
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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