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EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDFP112A3PB-GDTJ-F-D
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    24Gb (192M x 128)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz

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EDFP112A3PB-JD-F-D

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Descrizione: IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
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EDFB232A1MA-JD-F-R TR

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Descrizione: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
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EDFP112A3PB-GD-F-R

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Descrizione: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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EDFM432A1PH-GD-F-D

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Descrizione: IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ

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