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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > M29W256GL70ZS6E
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4526140Immagine M29W256GL70ZS6E.Micron Technology

M29W256GL70ZS6E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    M29W256GL70ZS6E
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    70ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    64-FBGA (11x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    64-LBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (32M x 8, 16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 70ns 64-FBGA (11x13)
  • Numero di parte base
    M29W256
  • Tempo di accesso
    70ns
M29W256GL7AZS6E

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

Produttori: Micron Technology
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M29W256GSL70ZS6E

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M29W256GL70N6F TR

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

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M29W256GH7AZA6E

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

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