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MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    137-VFBGA (13x10.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    137-VFBGA
  • Altri nomi
    MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR-ND
    MT29C4G96MAAGBACKD-5WTTR
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH, RAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-VFBGA (13x10.5)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT29C4G96M

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Produttori: Micron Technology
In magazzino
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Descrizione: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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Descrizione: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Descrizione: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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