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MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    3Tb (384G x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz
  • Frequenza dell'orologio
    333MHz

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Descrizione: IC FLASH 4G SPI TBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

Produttori: Micron Technology
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MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

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Descrizione: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Descrizione: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Descrizione: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

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Descrizione: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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Descrizione: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

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