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4414001Immagine MT40A1G8WE-083E AUT:B TR.Micron Technology

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT40A1G8WE-083E AUT:B TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR4
  • Contenitore dispositivo fornitore
    78-FBGA (8x12)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    78-TFBGA
  • Altri nomi
    557-1684-2
    MT40A1G8WE-083E AUT:B TR-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • Frequenza dell'orologio
    1.2GHz

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT40A256M16GE-075E AIT:B

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Produttori: Micron Technology
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MT40A1G8WE-075E IT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-075E:D

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A256M16GE-062E IT:B

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