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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT40A2G4SA-062E:E TR
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MT40A2G4SA-062E:E TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT40A2G4SA-062E:E TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR4
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Altri nomi
    MT40A2G4SA-062E:E TR-ND
    MT40A2G4SA-062E:ETR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (2G x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.6GHz
  • Frequenza dell'orologio
    1.6GHz
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Descrizione: DDR4 4G DIE 256MX16

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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