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6957283Immagine MT41J128M8JP-15E IT:G.Micron Technology

MT41J128M8JP-15E IT:G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41J128M8JP-15E IT:G
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT41J128M8JP-15E IT:G.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Contenitore dispositivo fornitore
    78-FBGA (8x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    78-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41J128M8JP-15E IT:G-ND
    MT41J128M8JP-15EIT:G
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 667MHz 78-FBGA (8x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    667MHz
  • Numero di parte base
    MT41J128M8

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41J128M8JP-15E IT:G TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41J256M16HA-093 J:E

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