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MT41J64M16JT-187E:G TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41J64M16JT-187E:G TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT41J64M16JT-187E:G TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41J64M16JT-187E:G TR-ND
    MT41J64M16JT-187E:GTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 96-FBGA (8x14)
  • Frequenza dell'orologio
    533MHz
  • Numero di parte base
    MT41J64M16

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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Produttori: Micron Technology
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MT41K128M16HA-187E:D

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 1067MHZ

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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