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MT41K512M16TNA-125:E TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K512M16TNA-125:E TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT41K512M16TNA-125:E TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (10x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41K512M16TNA-125:E TR-ND
    MT41K512M16TNA-125:ETR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (512M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 800MHz 13.5ns 96-FBGA (10x14)
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz
  • Numero di parte base
    MT41K512M16
  • Tempo di accesso
    13.5ns

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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