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548593Immagine MT44K32M18RB-107E:B.Micron Technology

MT44K32M18RB-107E:B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT44K32M18RB-107E:B
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT44K32M18RB-107E:B.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Tecnologia
    DRAM
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns
  • Frequenza dell'orologio
    933MHz
  • Tempo di accesso
    8ns

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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttori: Micron Technology
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MT44K32M36RB-083E:A

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Descrizione: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Produttori: Micron Technology
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MT44K32M18RB-093E:B

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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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