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1356871Immagine MT46V128M4P-6T:D TR.Micron Technology

MT46V128M4P-6T:D TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V128M4P-6T:D TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    MT46V128M4P-6T:D TR-ND
    MT46V128M4P-6T:DTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
  • Frequenza dell'orologio
    167MHz
  • Numero di parte base
    MT46V128M4
  • Tempo di accesso
    700ps

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MT46V128M4P-6T:D

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4P-5B:J TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4FN-75Z:D

MT46V128M4FN-75Z:D

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4P-75:D TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4TG-5B:F TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4P-6T:F TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4TG-75:D

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MT46V128M4TG-6T:D TR

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MT46V128M4P-75:D

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MT46V128M4TG-6T:F TR

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MT46V128M4P-6T:F

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MT46V128M4FN-75:D TR

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MT46V128M4P-5B:J

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MT46V128M4FN-75:D

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