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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT46V128M4TG-5B:F TR
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4015467Immagine MT46V128M4TG-5B:F TR.Micron Technology

MT46V128M4TG-5B:F TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V128M4TG-5B:F TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    MT46V128M4TG-5B:F TR-ND
    MT46V128M4TG-5B:FTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT46V128M4
  • Tempo di accesso
    700ps
MT46V128M8P-6T:A TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M8P-6T IT:A

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4TG-75:D

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V128M4P-6T:F

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V128M4TG-5B:D TR

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MT46V128M4P-5B:J

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MT46V128M4TG-6T:F TR

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MT46V128M8P-75:A

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MT46V128M4P-6T:D TR

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MT46V128M8P-6T:A

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