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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT46V16M16P-5B XIT:M TR
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MT46V16M16P-5B XIT:M TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V16M16P-5B XIT:M TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    MT46V16M16P-5B XIT:M TR-ND
    MT46V16M16P-5BXIT:MTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT46V16M16
  • Tempo di accesso
    700ps
MT46V16M16P-5B:K TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V16M16P-5B:M

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V16M16FG-6:F TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V16M16P-6T IT:F TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V16M16P-5B:M TR

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MT46V16M16P-5B XIT:M

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MT46V16M16FG-75:F

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V16M16P-6T:F

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MT46V16M16P-5B AIT:M TR

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MT46V16M16FG-6 L:F TR

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MT46V16M16P-6T IT:K TR

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MT46V16M16P-5B IT:M

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MT46V16M16P-5B AIT:M

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MT46V16M16FG-75:F TR

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