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6130198Immagine MT46V32M16TG-75Z:C.Micron Technology

MT46V32M16TG-75Z:C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V32M16TG-75Z:C
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Numero di parte base
    MT46V32M16
  • Tempo di accesso
    750ps

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16TG-75 IT:C

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M4TG-5B:D TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16TG-75:C

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16TG-75E:C

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Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16TG-6T:F

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16TG-75 IT:C TR

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MT46V32M16TG-75 L:C TR

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MT46V32M4TG-75:D TR

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MT46V32M16TG-6T:F TR

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MT46V32M4P-5B:D TR

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MT46V32M16TG-75E:C TR

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MT46V32M16TG-75:C TR

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