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6717029Immagine MT47H128M4B6-3:D TR.Micron Technology

MT47H128M4B6-3:D TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H128M4B6-3:D TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H128M4B6-3:D TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    60-FBGA
  • Altri nomi
    557-1291-2
    MT47H128M4B6-3:D TR-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Frequenza dell'orologio
    333MHz
  • Numero di parte base
    MT47H128M4
  • Tempo di accesso
    450ps

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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