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5035198Immagine MT47H16M16BG-3 IT:B TR.Micron Technology

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H16M16BG-3 IT:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H16M16BG-3 IT:B TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    84-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    84-FBGA
  • Altri nomi
    MT47H16M16BG-3 IT:B TR-ND
    MT47H16M16BG-3IT:BTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-FBGA (8x14)
  • Frequenza dell'orologio
    333MHz
  • Numero di parte base
    MT47H16M16
  • Tempo di accesso
    450ps

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H16M16BG-37V:B

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-25E:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H16M16BG-3:B TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H128M8SH-187E:M TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H128M8HQ-3:G TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT47H16M16BG-37E:B TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8SH-187E:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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RFQ
MT47H16M16BG-5E:B

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H1G4WTR-25E:C TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E IT:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8JN-25E:H

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E AIT:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8JN-3:H

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H1G4WTR-25E:C

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H16M16BG-3E:B

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M4B7-37E:A

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H128M8JN-3 IT:H

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
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