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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT47H256M8EB-25E XIT:C
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MT47H256M8EB-25E XIT:C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H256M8EB-25E XIT:C
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    60-TFBGA
  • Altri nomi
    MT47H256M8EB-25E XIT:C-ND
    MT47H256M8EB-25EXIT:C
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Numero di parte base
    MT47H256M8
  • Tempo di accesso
    400ps
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8EB-187E:C TR

MT47H256M8EB-187E:C TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M4HQ-187E:E TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H256M8THN-25E:H TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E IT:C TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E:H

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8EB-187E:C

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E IT:H

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M4SH-25E:M

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E:M TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H256M8EB-3:C TR

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