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172212Immagine MT47H32M16BN-25E:D TR.Micron Technology

MT47H32M16BN-25E:D TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H32M16BN-25E:D TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H32M16BN-25E:D TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    84-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    84-TFBGA
  • Altri nomi
    MT47H32M16BN-25E:D TR-ND
    MT47H32M16BN-25E:DTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (10x12.5)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Numero di parte base
    MT47H32M16
  • Tempo di accesso
    400ps

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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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