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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT47H64M8B6-25E L:D TR
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6699317Immagine MT47H64M8B6-25E L:D TR.Micron Technology

MT47H64M8B6-25E L:D TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H64M8B6-25E L:D TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    60-FBGA
  • Altri nomi
    557-1427-6
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Numero di parte base
    MT47H64M8
  • Tempo di accesso
    400ps
MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M4BP-37E:B TR

MT47H64M4BP-37E:B TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M16NF-25E AUT:M

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M16NF-25E IT:M

MT47H64M16NF-25E IT:M

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M16U88BWC1

MT47H64M16U88BWC1

Descrizione: DDR2 1G DIE 64MX16

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CB-25:B TR

MT47H64M8CB-25:B TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CB-37E IT:B

MT47H64M8CB-37E IT:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-3:D TR

MT47H64M8B6-3:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M16NF-25E:M

MT47H64M16NF-25E:M

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H64M16NF-25E XIT:M

MT47H64M16NF-25E XIT:M

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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