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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT47H64M8SH-187E:H TR
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MT47H64M8SH-187E:H TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H64M8SH-187E:H TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Altri nomi
    MT47H64M8SH-187E:H TR-ND
    MT47H64M8SH-187E:HTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 533MHz 350ps
  • Frequenza dell'orologio
    533MHz
  • Tempo di accesso
    350ps
MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E:G

MT47H64M8CF-25E:G

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E AIT:G

MT47H64M8CF-25E AIT:G

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47R256M4CF-25E:H

MT47R256M4CF-25E:H

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47R256M4CF-3:H

MT47R256M4CF-3:H

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47R128M8CF-25:H

MT47R128M8CF-25:H

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47R256M8EB-25E:C

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8SH-25E AAT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E AIT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E L:G TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT47H64M8CF-25E:G TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47R128M8CF-3:H

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E IT:G

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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