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4740708Immagine MT48H16M32L2F5-10.Micron Technology

MT48H16M32L2F5-10

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT48H16M32L2F5-10
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 100MHz 7.5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    100MHz
  • Numero di parte base
    MT48H16M32
  • Tempo di accesso
    7.5ns
MT48H16M32L2B5-10

MT48H16M32L2B5-10

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48H16M32L2B5-10 TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48H16M32L2B5-8 TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H16M32L2F5-10 IT TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H16M32L2B5-8

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MT48H16M16LFBF-75:H

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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