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5004021Immagine MT48H8M16LFB4-8:J TR.Micron Technology

MT48H8M16LFB4-8:J TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT48H8M16LFB4-8:J TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT48H8M16LFB4-8:J TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-VFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    54-VFBGA
  • Altri nomi
    557-1324-2
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 125MHz 7ns 54-VFBGA (8x8)
  • Frequenza dell'orologio
    125MHz
  • Numero di parte base
    MT48H8M16
  • Tempo di accesso
    7ns

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48H8M32LFB5-10

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H8M32LFB5-10 IT

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H8M32LFB5-10 IT TR

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MT48H8M32LFB5-10 TR

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Produttori: Micron Technology
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MT48H8M16LFB4-75:K

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48H8M16LFB4-75:K TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H8M16LFB4-75 IT:K

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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