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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT48LC128M4A2TG-7E:C
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4393420Immagine MT48LC128M4A2TG-7E:C.Micron Technology

MT48LC128M4A2TG-7E:C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT48LC128M4A2TG-7E:C
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MT48LC128M4A2TG-7E:C.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Numero di parte base
    MT48LC128M4A2
  • Tempo di accesso
    5.4ns

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Conxall / Switchcraft
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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