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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT48LC4M32B2F5-6:G
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6070530Immagine MT48LC4M32B2F5-6:G.Micron Technology

MT48LC4M32B2F5-6:G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT48LC4M32B2F5-6:G
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 167MHz 5.5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    167MHz
  • Numero di parte base
    MT48LC4M32B2
  • Tempo di accesso
    5.5ns
MT48LC4M32B2B5-7:G

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48LC4M32B2B5-6A:L TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT48LC4M32B2B5-6A IT:L

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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MT48LC4M32B2B5-7 IT:G

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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