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363420Immagine MT49H32M18CSJ-25E:B TR.Micron Technology

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT49H32M18CSJ-25E:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT49H32M18CSJ-25E:B TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    DRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    144-FBGA (18.5x11)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    144-TFBGA
  • Altri nomi
    MT49H32M18CSJ-25E:B TR-ND
    MT49H32M18CSJ-25E:BTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA (18.5x11)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Tempo di accesso
    15ns

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MT49H32M18CSJ-18:B

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Produttori: Micron Technology
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MT49H32M18SJ-25:B

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MT49H32M18CFM-25:B

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MT49H32M18SJ-25:B TR

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MT49H32M18CFM-25E:B TR

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MT49H32M18SJ-18:B

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MT49H32M18FM-33:B

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MT49H32M18CSJ-18:B TR

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MT49H32M18CFM-25:B TR

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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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MT49H32M18CFM-18:B TR

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