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MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 16G 800MHZ FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.2V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • Altri nomi
    MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND
    MT52L256M64D2QB-125XTES:B
  • temperatura di esercizio
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    16Gb (256M x 64)
  • Interfaccia di memoria
    -
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz

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