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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.1V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Altri nomi
    MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR-ND
    MT53B384M64D4NH-062WTES:BTR
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    24Gb (384M x 64)
  • Interfaccia di memoria
    -
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz
  • Frequenza dell'orologio
    1600MHz

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MT53B384M64D4NK-053 WT:B

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Descrizione: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR

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Descrizione: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

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Descrizione: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 12G 1600MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

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Descrizione: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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